东芝NAND闪存：TH58BVG3S0HBAI6
TH58BVG3S0HBAI6
TH58BVG3S0HBAI6是一个3.3V8Gbit(8,858,370,048位)NAND电可擦可编程只读存储器(NANDE2PROM)，其组织为(4096+128)字节或64页或4096块。该装置具有4224字节静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字节×64页)。
TH58BVG3S0HBAI6是一种串行型存储设备，它使用I/O引脚进行地址和数据输入/输出以及命令输入。自动执行擦除和程序操作，使设备最适合应用程序，如固态文件存储，语音记录，图像文件存储器的静止相机以及其它需要高密度非易失性存储器数据存储的系统。
TH58BVG3S0HBA6在芯片上具有ECC逻辑，并且可以在内部校正每个528字节的8位读取错误。
编辑：admin 最后修改时间：2019-09-06
