东芝NAND闪存：TH58BYG3S0HBAI4
TH58BYG3S0HBAI4
TH58BYG3S0HBAI4是一个1.8V 8Gbit(8，858，370，048位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×4096块。该设备具有一个4224字节的静态寄存器，它允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节，8千字节：4224字节×64页)。
TH58BYG3S0HBAI4是一种串行式存储器装置，它利用I/O引脚用于地址和数据输入/输出以及命令输入。自动执行擦除和程序操作，使设备最适合应用程序，如固态文件存储，语音记录，图像文件存储器的静止相机以及其它需要高密度非易失性存储器数据存储的系统。
TH58BYG3S0HBAI4在芯片上有ECC逻辑，每个528字节的8位读取错误可在内部进行校正。
编辑：admin 最后修改时间：2019-09-06
