东芝NAND闪存：TH58BYG3S0HBAI6
TH58BYG3S0HBAI6
TH58BYG3S0HBAI6是一个1.8V 8Gbit(8，858，370，048位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 128)字节×64页×4096块。该设备具有一个4224字节的静态寄存器，它允许在寄存器和存储器单元数组之间以4224字节递增传输程序和读取数据。擦除操作在单个块单元中实现 (256Kbytes + 8Kbytes ： 4224 字节× 64 页) 。
TH58BYG3S0HBAI6是一种串行型存储设备，它使用I/O引脚进行地址和数据输入/输出以及命令输入。自动执行擦除和程序操作，使设备最适合于诸如固态文件存储、语音记录、静止相机图像文件存储器等应用。以及其他需要高密度、非易失性存储器数据存储的系统。
TH58BYG3S0HBAI6芯片上有ECC逻辑，每528位字节的8位读取错误可以内部纠正。
编辑：admin 最后修改时间：2019-09-06
