东芝NAND闪存：TH58NVG3S0HBAI6
TH58NVG3S0HBAI6
TH58NVG3S0HBAI6是一个单一的3.3V 8Gbit(9，126，805，504位)NAND电可擦和可编程只读存储器(NAND E2PROM)，组织为(4096 256)字节×64页×4096块。该装置具有两个4352字节的静态寄存器，允许在寄存器和存储器单元数组之间以4352字节增量的方式传输程序和读取数据。擦除操作是在单个块单元中实现的(256千字节16字节：4352字节×64页)。
TH58NVG3S0HBAI 6是一种串行型存储设备，它使用I/O引脚进行地址和数据输入/输出以及命令输入。自动执行擦除和程序操作，使该设备最适合于诸如固态文件存储、语音记录、静止相机图像文件存储器等应用。以及其他需要高密度、非易失性存储器数据存储的系统。
编辑：admin 最后修改时间：2019-09-06
