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颖特新科技讯：SK海力士（或称“公司”，www.skhynix.com）宣布公司开始量产HBM3 --拥有当前业界最佳性能的DRAM。
High Bandwidth Memory，高带宽存储器：是由垂直堆叠在一起的DRAM芯片组合而成的高价值、高性能内存，其数据处理速度大幅领先于传统DRAM。HBM3 DRAM是第四代HBM产品，此前三代分别为HBM（第一代）、HBM2（第二代），以及HBM2E（第三代）。
拥有当前业界最佳性能的HBM3 DRAM内存芯片，从开发成功到量产仅用七个月
HBM3将与NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以实现加速计算（accelerated computing）
SK海力士旨在进一步巩固公司在高端DRAM市场的领导地位
SK海力士于去年十月宣布成功开发出业界首款HBM3 DRAM，时隔七个月即宣布开始量产，这有望进一步巩固公司在高端DRAM市场的领导地位。
随着人工智能和大数据等尖端技术的加速发展，全球主要科技企业正在探索创新方法，以快速处理增速迅猛的数据量。相较于传统DRAM，HBM在数据处理速度和性能方面都具有显著优势，有望获得业界广泛关注并被越来越多地采用。
英伟达（NVIDIA）在近日完成了对SK海海力士将向英伟力士HBM3样品的性能评估。SK达系统供应HBM3，而该系统预计将在今年第三季度开始出货。SK海力士也将按照英伟达的计划，在今年上半年增加HBM3产量。
备受期待的英伟达H100被认为是当前全球范围内最大、性能最强的加速器。SK海力士的HBM3带宽可达819GB/s，有望增强加速计算的性能。这个带宽相当于能够在每秒传输163部全高清（Full-HD）电影（每部影片约5GB）。
SK海力士社长（事业总管）卢钟元表示，与英伟达的紧密合作使得SK海力士在高端DRAM市场稳获一流的竞争力。“我们的目标是通过持续、开放式协同合作，成为洞悉和解决客户需求的解决方案提供商（Solution Provider）。”
SK海力士总部位于韩国,是一家全球领先的半导体供应商,为全球客户提供DRAM(动态随机存取存储器), NAND Flash(NAND快闪存储器)和CIS(CMOS图像传感器)等半导体产品。公司于韩国证券交易所上市,其全球托存股份于卢森堡证券交易所上市。若想了解更多,请点击公司网站www.skhynix.com,news.skhynix.com.cn。
