W78E516B40DL
| Density | Status | ||
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| Vcc | Frequency | ||
| Package | Temperature Range | ||
| Feature List | W78E516B是具有带ISP功能的Flash EPROM的低功耗8位微控制器。 ISP功能的Flash EPROM可用于固件升级.它的指令集同标准8052指令集完全兼容.W78E516B包含64K字节的主ROM,4K字节的辅助ROM.(位于4K字节辅助ROM中的装载(loader)程序,可以让用户更新位于64K主ROM中的程序内容.)512 字节片内RAM;4个8位双向,可位寻址的I/O口;一个附加的4位I/O口P4;3个16位定时/计数器及一个串行口.这些外围设备都由有8个中断源和2级中断能力的中断系统支持. 为了方便用户进行编程和验证,W78E516B内含的ROM允许电编程和电读写.一旦代码确定后,用户就可以对代码进行保护.W78E516B有2种节电模式,空闲模式和掉电模式,2种模式均可由软件来控制选择.空闲模式下,处理器时钟被关闭,但外设仍继续工作.在掉电模式下晶体振荡器停止工作,以将功耗降至最低.外部时钟可以在任何时间及状态下被关闭,而不影响处理器运行. 2. 特性 全静态设计的CMOS 8位微处理器最高达40MHz 64K字节并带ISP功能的Flash EPROM,用来存储应用程序(APROM) 4K字节的辅助ROM,用来存储装载程序(LDROM) 512字节片内暂存RAM(包括256字节的软件可选的AUX-RAM) 64KB程序存储器地址空间和64KB数据存储器地址空间 4个8位双向I/O口 一个4位多功能可编程口 3个16位定时/计数器 一个全双工串行口(UART) 8个中断源,2级中断能力 内建电源管理 代码保护机制 封装: --DIP40: W78E516B-40 --PLCC44: W78E516BP-40 --PQFP 44: W78E516BF-40 --无铅封装DIP40: W78E516B40DL --无铅封装PLCC44: W78E516B40PL --无铅封装PQFP 44: W78E516B40FL W78E516D是一款8位微控制器，内置可ISP编程的Flash EPROM以供固件升级。W78E516D的指令系统完全兼容标准8052。 W78E516D包括64K的主Flash EPROM和4K的辅助Flash EPROM，辅助Flash EPROM用于存储装载程序，通过该装载程序可升级主Flash EPROM中的内容；256B的SRAM；256B的AUXRAM；4个8位双向可位寻址的I/O口（P0-P3）；1个额外的4位I/O口P4；3个16位定时/计数器；1个串口。这些外设支持8中断源、两层嵌套中断机制。为了便于编程和校验，W78E516D的内置Flash EPROM允许程序存储器电可编程，电可读取。一旦代码确认之后，用户可保护其安全性。 微控制器W78E516D支持两种节能模式：空闲模式和掉电模式。两者都是软件可选。空闲模式中，处理器时钟被关闭，但依然允许外设操作。掉电模式中，晶振停止，保持最小功耗。外部时钟可在任何时间任何状态下停止，而对处理器没有任何影响。 W78E516D 参数 W78E516D 存储器 Flash（APROM） 64KB Flash（LDROM） 4KB RAM 512B W78E516D 参数 I/O口 4个（8位） 1个（4位） 16位定时器 3 全双工串口 1 中断源 8 加密位 √ W78E516D 封装与引脚 DIP40, PLCC44, PQFP44, LQFP48 W78E516D 特性 W78E516D 主要特性如下： 全静态设计的8位CMOS微控制器 可选12T或6T模式 12T模式，每个机器周期含12次时钟（默认），速度高达40 MHz/5V 6T模式，每个机器周期含6次时钟，可在写入时设置，速度高达20 MHz/5V 宽工作电压：2.4～5.5 V 温度等级：-40℃～85℃ 64KB用于应用程序的在线可编程Flash EPROM（APROM） 4KB专为装载程序设计的Flash EPROM（LDROM） 512B片上RAM（包括256B的AUX-RAM，软件可选） 64KB程序存储器地址空间和64KB数据存储器地址空间 1个4位多功能可编程接口，附加INT2/INT3 支持看门狗定时器 3个16位定时/计数器 1个全双工串行接口 。 |
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编辑：admin 最后修改时间：2017-08-19 浏览：4
