Vishay 推出的新款VRPower?集成式DrMOS功率级解决方案
2016 年 2 月17 日 — 日前，VishayIntertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，为满足下一代笔记本电脑、超便携笔记本和桌面PC对大电流、高效率和高功率密度的性能需求，推出5款新的VRPower?集成式DrMOS功率级解决方案---SiC530、SiC531、SiC532、SiC631和SiC632，可用于多相POL稳压器。威世 SilicoNIx 的这五款器件在热增强的4.5mm x 3.5mm PowerPAK?MLP4535-22L和5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L封装内，组合了功率MOSFET、先进的MOSFET栅极驱动IC和自举肖特基二极管，占位面积比使用分立器件的方案小45%。器件的高功率密度使其非常适合使用Intel?的Skylake平台的计算平台。器件还适用于工业PC和用在网络和工业应用中的大电流多相模块。
现在的移动计算和桌面计算平台需要比前一代产品更大的电流，同时要求面积和尺寸要比以往更小。今天推出的4.5mm x 3.5mm PowerPAK MLP55-31L封装的集成器件可输出最高30A的连续电流，5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L封装的器件可输出40A连续电流。除了能输出大电流和节省占位面积，这些功率级还减小了封装寄生参数，使开关频率最高能达到2MHz，从而减小输出滤波器的尺寸，进一步缩小了整个方案的尺寸和高度。为提高性能，器件的高边和低边MOSFET使用Vishay目前最好的Gen IV TrenchFET?技术，来减少开关和传导损耗。功率级的驱动IC兼容众多PWM控制器，支持5V的三态PWM逻辑电平。
SiC530、SiC531、SiC532、SiC631和SiC632适用于同步降压转换器、DC/DC电压稳压模块、CPU和GPU的多相VRD，以及存储器。为在这些应用里提高轻负载效率，器件的驱动IC带有二极管调制模式电路和零电流检测电路。自适应死区时间控制有助于在所有负载点下进一步提高效率。为支持IMVP8的PS4模式轻负载要求，当系统在待机模式下运转时，功率级会把电流降到5μA，而且可以在5μs内从这种状态中唤醒。器件符合RoHS，无卤素，具有欠压锁定 (UVLO)等保护功能。
编辑：admin 最后修改时间：2017-09-05
