武汉新芯将并入紫光集团旗下，赵伟国将任董事长
先前科技新报独家揭露，统筹中国内存产业发展的武汉新芯将与紫光集团携手合作，并有望获得美光在NAND Flash的协助，现在事情再有新进展，根据调研机构集邦科技旗下内存储存事业处DRAMeXchange说法，紫光将于武汉成立新企业，未来武汉新芯将并入旗下，据先前消息，紫光集团董事长赵伟国也将出线担任董事长。
朝NANDFlash发展前进
调研机构集邦科技旗下内存储存事业处DRAMeXchange今27日发布消息指出，紫光集团预计于武汉成立长江存储科技，未来将并入武汉新芯并统筹集团下一切内存发展项目，目前整体规划朝向NANDFlash产业发展。
DRAMeXchange认为，紫光集团与武汉新芯目前将着力于NAND Flash发展，除了因NAND Flash后市可期，武汉新芯原为NOR Flash大厂，在生产经验、厂房与产能建置等基础建设本就有所擅长。DRAMeXchange协理杨文得进一步分析，紫光集团则在资金募集及策略并购等均有过人之处，透过两强携手整合资源，能使中国内存产业投资的整体资源配置更加集中，并在整合上产生更多综效，对内可是使未来中国内存产业的发展中瞄准较佳的地位，对外则能提升产业上谈判的筹码，有助于中国建立产业自主性。
根据科技新报先前取得的消息，紫光集团董事长赵伟国、大基金总经理丁文武可能在这之中扮演重要角色，而新芯董事长杨士宁等可能有异动，而目前根据消息，赵伟国也的确会持续留在紫光集团董事长此一职位。
飞索半导体之后再携美光？
武汉新芯在3月底于武汉东湖高新区所擘划的内存基地才举移动土典礼，规划用于生产3D-NAND Flash，预计2018年建设完成，官方预计，届时与飞索半导体合作开发的3D-NAND Flash将能达到32层堆叠，初期量产月产能约20万片，武汉新芯目标到2020年基地总产能达30万片/月、2030年来到100万片/月。
杨文得表示，3D-NANDFlash的厂房新建等投资远高于2D-NAND Flash数倍，紫光/武汉新芯方若能循华亚科模式取得美光技术授权，则能以较低的财务负担来获取长期新产能的布建，更有机会在市占率拉近与三星和东芝/威腾（WD）阵营的距离。
3D-NAND Flash现扩产潮
目前各家大厂在3D-NAND Flash产能的布建，三星在西安厂的投资外，韩国平泽厂区也规划加大新的3D-NAND Flash产能，东芝与西数（WD）旗下SanDisk日本Fab2厂在日前开幕，新厂也可望自2018下半年投产，海力士则除现阶段M11与M12厂外，M14厂第二阶段3D-NAND的生产也将从明年第一季后开始进行。英特尔美光阵营在今年3月扩建新加坡Fab10X的扩建外，英特尔大连厂转型生产3D-NAND Flash芯片也在这个月25日正式投产。
DRAMeXchange预估，2011~2016年NAND Flash位需求量的年复合成长率高达47%，在SSD需求高度成长的带动下，NANDFlash未来10年可望皆维持强劲成长态势。
编辑：admin 最后修改时间：2018-01-05
