三星宣布大量采用 14 纳米 FinFET 制程生产入门级芯片
三星电子30日宣布，将开始大规模的采用14纳米FinFET制程开始大量生产入门款的手机芯片。该代号为Exynos 7570的芯片，预计将应用于中低端智能手机以及物联网（IOT）的产品使用上。不过，目前三星电子尚未正式公布未来究竟是哪些手机型号将会采用该款芯片。
根据韩国英文媒体《THE KOREA TIMES》的报导，三星电子在30日正式宣布将大规模的采用14纳米FinFET制程，开始生产入门款的手机芯片。而该代号为Exynos 7570的芯片，内建4个Cortex-A53 CPU核心，号称相比于28纳米制程的产品性能提升70%、功耗降低30%，而且减少20%芯片面积。
另外，Exynos7570还最高支持WXGA1280×800分辨率的屏幕，支持1080p高画质影像录制和播放，并且也支持1,300万像数的后置相机镜头，以及800万像数的前置相机镜头。而其中还配合电源管理组件、射频组件等，使得Exynos 7570平台的芯片总面积能比上代减少了20%，可用于设计更轻薄的手机。
据了解，三星的Exynos 7570芯片还整合了成LTECat.4双载波聚合基频，并且它支持Wi-Fi、蓝牙、FM、GNSS导航（全球导航卫星系统）等无线技术，用以降低芯片功耗、成本、面积尺寸。三星电子的逻辑芯片业务事业群副总裁HurKook表示，借Exynos 7570芯片的推出，更多的客户将能享受到借14纳米FinFET制程所改善的芯片功能。
而三星电子虽然并没有明确说明，未来该芯片将用于那些款式的手机上。但是，根据业界人士透露，三星Galaxy On5，以及新一代Galaxy J系列都有望搭载Exynos 7570处理器，而且在2016年年底前就能推出。
编辑：admin 最后修改时间：2018-01-05
