你好!欢迎来到 !
语言
当前位置:首页 >> 技术中心 >> 电容电阻 >> 制程微缩产能损失大,明年下半 DRAM 将爆新行情?

制程微缩产能损失大,明年下半 DRAM 将爆新行情?

作者:admin 来源:不详 发布时间:2018-01-05  浏览:15

明年下半DRAM供给可能会供不应求,韩媒指出,内存厂商转进20纳米制程的产能损失,或许会让DRAM陷入供给短缺,炒热行情。

BusinessKorea 12日报导,半导体和投资银行的业界消息指出,2017年DRAM需求预料将年增19.3%,不过2017年DRAM每月产量将减少2万组,从当前的105万组、2017年降至103万组,主要是制程转换造成产能减少。不仅如此,产程转换的供给成长率以往大约是30%,2017年成长率可能减至10%,加剧供给不足问题。

据了解,明年上半年是淡季,DRAM可能会略为供给过剩。不过随着美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)转进20纳米,产出减少;下半年传统旺季到来时,业者又未增加投资,DRAM将由供给过多变为供给不足。

业界观察家预期,明年整体DRAM产品价格将下滑9.8%,DRAM成本减幅更大,约为18%,意味厂商仍有利润。



编辑:admin  最后修改时间:2018-01-05

相关文章

    热销产品

      联系方式

      0755-82591179

      传真:0755-82591176

      邮箱:vicky@yingtexin.net

      地址:深圳市龙华区民治街道民治大道973万众润丰创业园A栋2楼A08

      Copyright © 2014-2023 All Rights Reserved.  粤ICP备14043402号-4

      Baidu
      map