台积电晶圆代工领先英特尔 1 年，明后年独霸 10、7 纳米
台积电、英特尔（IntelCorp.）在晶圆代工领域正面对决，英特尔在8月宣布跟设计手机、汽车芯片的ARM（ARM Holdings）敲定代工协议，看似跃进一大步，但分析人士认为，英特尔整体晶圆代工能力仍落后台积电一年之久，短期内难以对台积电造成实质威胁。
barron`s.com 27日报导，美系外资发布研究报告指出，台积电在技术、处理ARM制程的能力、晶圆产能、成本结构、生产弹性、资产负债表和整体价值方面，都比英特尔来得强势。虽然英特尔微处理器的科技、制程都较佳，但晶圆代工能力却落后微处理器制造技术至少两年，因此大概比台积电晚了一年左右。也就是说，英特尔短期内难以对台积电产生实质威胁。
相较之下，台积电的10纳米、7纳米制程技术虽落后英特尔，但台积电比英特尔提前1至2年跨入7纳米制程，可借此缩短两家公司的差距。台积电在独家封装技术“整合型扇出型封装”（integratedfan-out，InFO）的协助下，有望在2017年、2018年霸占10纳米和7纳米晶圆代工市场。
编辑：admin 最后修改时间：2018-01-05
