中国存储三大势力成形，开产能、急建厂力拼 2018 量产
存储产业在历经价格血战成了三强鼎立的寡占市场，中国在市场、国安考虑力求在存储有所突围，原先的紫光、武汉新芯从各自进击到合体发展，另外两组势力在联电、中芯老将辅佐下也积极展开布局，中国存储铁三角逐步成形。
紫光集团先前欲并购美光、与SK海力士谈授权最后都无疾而终，最终与获得中国存储统筹资源的武汉新芯合并，进一步成立长江存储公司，由紫光董事长赵伟国兼任长江存储董事长，大基金总经理丁文武出任副董事长，并由原武汉新芯CEO杨士宁出任总经理负责NANDFlash擘划，转战紫光的前华亚科董事长则任长江存储营运长重起炉灶筹备DRAM建厂。
武汉新芯存储基地已在2016年3月底动土，根据科技新报先前取得的消息，新的存储基地将分三期，总规划面积约100万平方米，一期于8月开工、预计2018年建设完成，月产能约20万片，而官方目标到2020年基地总产能达30万片/月、2030年来到100万片/月。第一步已与NOR内存厂商飞索半导体（Spansion）签订技术授权，从3D NAND Flash下手，并预计2017有能力推出32层堆叠、2018年推出48层堆叠3D NAND Flash。在DRAM进展上与美光洽谈技术授权还未有眉目，也有消息指出，高启全正招兵买马透过人脉挖角中国台湾地区DRAM相关人才，或为建厂做准备。
在DRAM进展有较大突破的为福建后起势力，福建省政府在5月宣布，所投资的晋华集成与联电签订技术合作协定，由联电接受晋华委托开发DRAM相关制程技术，生产利基型DRAM，团队由瑞晶、美光台湾前总经理、现任联电资深副总经理陈正坤领军，在7月12寸厂建厂奠基的同时，已在中国台湾地区的南科建立小型试产线，据了解初期将导入32纳米，但最终目标其实放在25纳米以下制程，以求与其他DRAM大厂不致有太大落差，初步产能规划每月6万片，估计2017年底完成技术开发，2018年9月试产，并在2019年以前将产线移转至福建新厂。
而合肥欲起的DRAM势力在前尔必达社长坂本幸雄淡出合肥后，由中国本土NORFlash厂商兆易创新（GigaDevice）与中芯国际前CEO王宁国所主导，先前市场传出兆易创新将与武岳峰等中国基金并购的美国DRAM厂ISSI合并，成为长江存储后，另一家DRAM/NAND Flash发展兼具的内存厂商。然目前还未传出团队有相关建厂消息。
除了三厂竞逐成为焦点，团队主导人也颇有渊源，主导合肥团队的王宁国与长江存储总经理杨士宁同样出身中芯国际，先前两派人马在中芯斗争多年甚至跃上新闻版面，如今再度碰头；而现任长江存储营运长的高启全与联电资深副总经理陈正坤，相继待过华亚科、美光体系，中国内存争战熟人相争就看谁能带领团队率先出线。
编辑：admin 最后修改时间：2018-01-05
