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电源设计知识解析-电源设计中的去耦电容应用实例 电源往往是我们在电路设计过程中最容易忽略的环节。其实，作为一款优秀的设计，电源设计应当是很重要的，它很大程度影响了整个系统的性能和成本。 大家对电容的概念大多还停留在理想的电容阶段，一般认为电容就是一个C。却不知道电容还有很多重[详细]
什么是MOS管 MOS管是金属 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半导体 (semiconductor) 场效应晶体管，或者称是金属 — 绝缘体 (insulator) — 半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认[详细]
MOS管 2708 160A/80V参数详情、封装、规格书详情 免费送样 MOS管 2708 160A/80V产品特点 专有的新型沟槽技术 RDS(ON),typ.=4.0mΩ@VGS=10V 低栅电荷使开关损耗最小化 MOS管 2708 160A/80V产品参数 MOS管 2708 160A/80V产品封装图 MOS管 2708 160A/[详细]
MOS管、三极管、IGBT之间的因果关系 区别与联系最全解析 大家都知道MOS管、三极管、IGBT的标准定义，但是很少有人详细地、系统地从这句话抽丝剥茧，一层一层地分析为什么定义里说IGBT是由BJT和MOS组成的，它们之间有什么区别和联系，在应用的时候，什么时候能选择IGBT、什么时候选择BJT、什么时候又选择MOSFET管[详细]
MOS管 9150 40A/500V原厂优势 1、我们愿意为客户做产品调整 2、提高客户产品技术保密性与性价比 3、拥有高效反应的设计团队 4、拥有设计与制造一体化服务 MOS管 9150 40A/500V产品特性 先进高级的平面工艺 RDS(ON),typ.=88mΩ@VGS=10V 低栅电荷使开关损耗最小化 坚固的多晶硅栅结构 选择到一款正确的MOS管，可以[详细]
MOS管源极和漏极是否可以互换使用分析 MOS管源极和漏极是否能互换使用？ 结型场效应管的源极S和漏极在制造工艺上是对称的，可以互换使用。如把3DJ6应用于功效前置级，D、S极互换后，电路工作状态并无变化。 MOS管的衬底B与源极如果不连在一起，则D、S极可以互换，但有的MOS管由于结构上的原因（即衬底B与源极S[详细]
MOS管 3112 110A/120V原厂（参数、封装、价格）免费送样 品质保证 MOS管 3112 110A/120V产品特性 采用CRM(CQ)先进的沟槽技术 极低通阻RDS(on) 符合JEDEC标准 RDS(on)=7mΩ（typ.)@VGS=10V MOS管 3112 110A/120V产品封装图 MOS管 3112 110A/120V产品参数 [详细]
场效应管知识-场效应管主要参数、作用和特点详解 场效应管简介 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极[详细]
场效应管知识详解-细说场效应管类型及其他知识（图文） 场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管），本文主要讲场效应管分类，各种场效应管的工作特点及根据特性曲线能判断管子的类型。 场效应管的特点 了解场效应管分类之前，我们来看看场效应管的特点有哪些？ [详细]
什么是场效应管（FET）-场效应管（FET）分类、原理、用途等知识详解 场效应管和双极晶体管不同，仅以电子或空穴中的一种载子动作的晶体管。按照结构、原理可以分为：1、接合型场效应管 2、MOS型场效应管 （一）场效应管（FET）-接合型场效应管（结型FET） 1、原理 N通道接合型场效应管[详细]
MOS管知识-MOS管参数（极限参数与静态参数）及作用解析本文主要分析MOS管参数，讲=MOS管即金属氧化物半导体场应管，是电路设计中常用的功率开关器件，为压控器件；MOS管有三个电极： 栅极G： MOS管的控制端，全名为：GATE，在G端加入高低电平即可控制MOS管的开断。对于NMOS管而言，要求Vgs>0时，MOS管导通，[详细]
mos管功耗-mos管功耗计算方法及MOS驱动基础 MOS管功耗，要确定一个MOSFET场效应管是否适于某一特定应用，需要对其功率耗散进行计算。耗散主要包括阻抗耗散和开关耗散：PDDEVICETOTAL=PDRESISTIVE+PDSWITCHING mos管功耗-低功耗趋势 封装的小型化使封装的热阻降低，功率耗散才能进步，相同电[详细]
MOS管 3320 90A/200V规格书参数详情 原厂直销 免费送样 MOS管 3320 90A/200V产品特性 专用的新平面技术 RDS(ON),typ.=20mΩ@VGS=10V 低栅电荷使开关损耗最小化 MOS管 3320 90A/200V产品封装图 MOS管 3320 90A/200V产品参数详情 MOS管 3320 90[详细]
从原理的视角，一文彻底区分MOS NMOS PMOS CMOS，详细请查看下文。mos管学名是场效应管，是金属-氧化物-半导体型场效应管，属于绝缘栅型，MOS又分N型、P型MOS管。 （一）由基础说起 半导体的基础材料是硅晶体，硅这种材料，在化学元素周期表里是四族元素，硅从微观上看每个原子最外层有4个电子，我们知道，外层[详细]
不只是输出驱动. 整个 数字 CMOS (Complementary-MOSFET) Technology的核心 都是: PMOS Pull-up, NMOS Pull-down。原因是PMOS适合传导高电平 (接近VDD), NMOS适合传导低电平(接近ND/VSS)。在CMOS Technology下, 正常NMOS是长这样的： NMOS一阶电流公式如下： 那么假设我们用NMOS来传输一个高电平: 我们就需要[详细]
电路小常识-电子工程师必备的40个模拟电路知识 由金属导线和电气、电子部件组成的导电回路，称为电路。在电路输入端加上电源使输入端产生电势差，电路连通时即可工作。 随着半导体技术和工艺的飞速发展，电子设备得到了广泛应用，而作为一名电力工程师，模拟电路是一门很基础的专业课，对于学生[详细]
800V MOS管选型表-MOS管产品信息及优质MOS管品牌推荐 800V MOS管-高压 MOS管型号表 Part Number ID（A） BVDSS（v） Typical RDS(ON)@60% [详细]
晶体管是指可以执行开关和放大的半导体器件。 它可以用作开关或放大器的电子设备称为有源组件。 电开关和放大并不是从1948年晶体管的发明开始的。 但是，本发明是一个新时代的开始，因为与晶体管扩散之前使用的有源组件（称为真空管）相比，晶体管体积小，效率高且具有机械弹性。下面我们先来看看PN结。 PN结二[详细]
MOS管 400V选型 Part Number ID（A） BVDSS（v） Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） ciss pF KNX9130A 40 300 0.11 0.13 3100 KNX3730A 50 300 0.05 0.065 3400 KIA6035A 11 350 0.38 0.48 844 KNX4540A 6 400 0.8 1 490 KNX6140A 10 400 0.35 0.5 1254 以上是MOS管 400V选型参数表，选择[详细]
（一）IGBT IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管组成的复合型半导体器件。 IGBT作为新型电子半导体器件，具有输入阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电子电路中获得极广泛的应用。 IGBT是电压控制电流，可是说是集成块[详细]
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