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开关电源知识-关于开关电源一些经典回答汇总分析 开关电源是一种高频化电能转换装置，是电源供应器的一种。其功能是将一个位准的电压，透过不同形式的架构转换为用户端所需求的电压或电流。开关电源的输入多半是交流电源（例如市电）或是直流电源，而输出多半是需要直流电源的设备，例如个人电脑，而开关[详细]
mos管的特点 mos管的特点是什么？MOS管，即金属（Metal）—氧化物（Oxide）—半导体（Semiconductor）场效应晶体管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件；和普通双极型晶体管相比，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，在开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信[详细]
电路由金属导线和电气、电子部件组成的导电回路，称为电路。在电路输入端加上电源使输入端产生电势差，电路连通时即可工作。电流的存在可以通过一些仪器测试出来，如电压表或电流表偏转、灯泡发光等；按照流过的电流性质，一般把它分为两种：直流电通过的电路称为“直流电路”，交流电通过的电路称为“交流电路[详细]
MOS管 3503 70A/30V原厂简介 深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。拥有独立的研发中心，研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队，可以快速根据客户应用领域的个性来设计方案，同时引进[详细]
在电子电路设计当中很多情况下都要考虑EMC的问题。在设计中使用MOS管时，在添加散热片时可能会出现一种比较纠结的情况。当MOS管的EMC通过时，散热片需要接地，而在散热片不接地的情况下，EMC是无法通过的。那么为何会出现这种现象呢？简单来说，针对传导可以将一些开关辐射通过散热器传导到大地回路，减弱了走传[详细]
mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。 MOS管作为半导体领域最基础的器件之一，无论是在 IC 设计里，还是板级电路应用上，都十分广泛，尤其在大功[详细]
MOS管 50N06 50A/60V产品介绍 KIA50N06C是一种N沟道增强型的Mosfet场效应晶体管，使用了KIA半导体的LV Mosfet技术。改进的工艺和内部结构特别适合最小化通态电阻，提供优越的开关性能。这种装置广泛应用于UPS、逆变器系统的电源管理等领域。 MOS管 50N06 50A/60V产品参数 MOS管 50N06 50A/60V产品封装 MOS管[详细]
阈值电压 （Threshold voltage）：通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压称为阈值电压。在描述不同的器件时具有不同的参数。如描述场发射的特性时，电流达到10mA时的电压被称为阈值电压。 MOS管阈值电压与沟长和沟宽的关系 关于 MOSFET 的 W 和 L 对其阈值电压 Vth [详细]
10A mos管型号表 也可选贝岭系列产品Part Number ID（A） BVDSS（v） Typical RDS(ON)@60% ID（Ω） MAX RDS(ON)@60% ID（Ω） ciss pF KNX6140A 10 400 0.35 0.5 1254 KNX6165B 10 650 0.75 0.9 1650 KNX6180A 10 800 1 1.15 2910 KNX4810A 9 100 0.14 0.16 950 KNX4820B 9 200 0.25 0.3 418 KIA6035A 11[详细]
mos管炸机-MOS管炸不炸机 原因的关键看这里 mos管炸机 mos管炸机是电源工程师最怕的，mos管炸机！用着用着就坏了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出问题了呢?这一切都和SOA相关。 我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电[详细]
MOS管 3008 120A/85V产品规格书详情 免费送样 技术支持 原厂直销 MOS管 3008 120A/85V产品参数详情 MOS管 3008 120A/85V产品封装图 MOS管 3008 120A/85V产品规格书 查看规格书，请点击下图。 MOS管 3008 120A/85V原厂介绍 选择到一款正确的MOS管，[详细]
MOS管开关电流知识-mosfet管开关电流波形问题分析 MOS管开关电路 MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。 P沟道MOS管开关电路 路编辑PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合[详细]
电源设计知识解析-电源设计中的去耦电容应用实例 电源往往是我们在电路设计过程中最容易忽略的环节。其实，作为一款优秀的设计，电源设计应当是很重要的，它很大程度影响了整个系统的性能和成本。 大家对电容的概念大多还停留在理想的电容阶段，一般认为电容就是一个C。却不知道电容还有很多重[详细]
什么是MOS管 MOS管是金属 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半导体 (semiconductor) 场效应晶体管，或者称是金属 — 绝缘体 (insulator) — 半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认[详细]
MOS管 2708 160A/80V参数详情、封装、规格书详情 免费送样 MOS管 2708 160A/80V产品特点 专有的新型沟槽技术 RDS(ON),typ.=4.0mΩ@VGS=10V 低栅电荷使开关损耗最小化 MOS管 2708 160A/80V产品参数 MOS管 2708 160A/80V产品封装图 MOS管 2708 160A/[详细]
MOS管、三极管、IGBT之间的因果关系 区别与联系最全解析 大家都知道MOS管、三极管、IGBT的标准定义，但是很少有人详细地、系统地从这句话抽丝剥茧，一层一层地分析为什么定义里说IGBT是由BJT和MOS组成的，它们之间有什么区别和联系，在应用的时候，什么时候能选择IGBT、什么时候选择BJT、什么时候又选择MOSFET管[详细]
MOS管 9150 40A/500V原厂优势 1、我们愿意为客户做产品调整 2、提高客户产品技术保密性与性价比 3、拥有高效反应的设计团队 4、拥有设计与制造一体化服务 MOS管 9150 40A/500V产品特性 先进高级的平面工艺 RDS(ON),typ.=88mΩ@VGS=10V 低栅电荷使开关损耗最小化 坚固的多晶硅栅结构 选择到一款正确的MOS管，可以[详细]
MOS管源极和漏极是否可以互换使用分析 MOS管源极和漏极是否能互换使用？ 结型场效应管的源极S和漏极在制造工艺上是对称的，可以互换使用。如把3DJ6应用于功效前置级，D、S极互换后，电路工作状态并无变化。 MOS管的衬底B与源极如果不连在一起，则D、S极可以互换，但有的MOS管由于结构上的原因（即衬底B与源极S[详细]
MOS管 3112 110A/120V原厂（参数、封装、价格）免费送样 品质保证 MOS管 3112 110A/120V产品特性 采用CRM(CQ)先进的沟槽技术 极低通阻RDS(on) 符合JEDEC标准 RDS(on)=7mΩ（typ.)@VGS=10V MOS管 3112 110A/120V产品封装图 MOS管 3112 110A/120V产品参数 [详细]
场效应管知识-场效应管主要参数、作用和特点详解 场效应管简介 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极[详细]
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