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2020-08电动车控制器重要节点 MOS管

电动车控制器是用来控制电动车电机的启动、运行、进退、速度、停止以及电动车的其它电子器件的核心控制器件,它就像是电动车的大脑,是电动车上重要的部件。电动车就来看主要包括电动自行车、电动二轮摩托车、电动三轮车、电动三轮摩托车、电动四轮车、电瓶车等,电动车控制器也因为不同的车型而有不同的性能和[详细]


2020-08MOS管 70A/30V KCX3503S产品详解

MOS管 70A/30V KCX3503S产品特点 RDS(on)=2.6mΩ(Typ.)@VGS=10V 先进的沟漕技术 低栅极电荷 符合RoHS和无卤标准 MOS管 70A/30V KCX3503S产品应用领域台式机的电源管理 DC/DC转换器 MOS管 70A/30V KCX3503S产品参数 MOS管 70A/30V KCX3503S产品规格书查看及下载规格书,请点击下图[详细]


2020-08MOS管 -35A/-100V 8610A规格书

MOS管 -35A/-100V 8610A产品简介 KPD8610A采用先进的沟道MOSFET技术,提供优良的开关器件和栅极。KPD8610A符合RoHS和绿色产品要求,100%EAS保证。 MOS管 -35A/-100V 8610A产品特点RDS(on)=42mΩ(typ)@VGS=10V 100% EAS保证 绿色设备 超低栅电荷 先进的高密度沟槽技术 MOS管 -35A/-100V 8610A产品封装 MOS管 -35[详细]


2020-08MOS管 KNX7606A 25A/60V详解

MOS管 KNX7606A 25A/60V产品介绍 KNX7606A是性能最高的N沟道mosfet,为大多数同步buck变换器提供优良的RDSON和栅极电荷,KNX7606A符合RoHS和绿色产品要求。KIA半导体产品品质优良,KIA半导体执行的全面质量管理体系,是将所有产品质量从芯片设计开始,一直贯彻到客户使用的全过程跟踪和监控。我们确定在这一质量[详细]


2020-08mos管的电路符号解析

mos管的电路符号详解。MOS管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对[详细]


2020-08MOS管输出特性曲线与方程分析

MOS管输出特性曲线详解,颖特新的小编告诉大家,三极管是利用Ib的电流去控制电流Ic的,所以说三极管是电流控制电流的器件。 而MOS管是利用Ugs的电压去控制电流Id的,所以说MOS管是电压控制电流的器件。对于N沟道增强型的MOS管,当Ugs>Ugs(th)时,MOS就会开始导通,如果在D极和S极之间加上一定的电压,就会有[详细]


2020-08基本的MOS管n沟道和p沟道图片详解

n沟道和p沟道图片详解,mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是[详细]


2020-08碳化硅mosfet驱动与硅IGBT的区别、应用与分类

碳化硅mosfet 本文主要讲硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别。我们先来看看碳化硅mosfet概述:在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。 碳化硅mosfet驱动与硅IGBT的区别硅IGBT与[详细]


2020-08碳化硅IGBT结构特点及应用优势详解

碳化硅igbt的优势是什么?什么是碳化硅?碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物,莫桑石。 碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中,碳化硅为应用最广泛、最经济的一种,可以称为金钢砂或[详细]


2020-08MOS管引脚功能好坏判断详解

电路板上mos管好坏判断,主要是用指针式万用表对MOS管进行判别。本文将会从5点来解析。MOS管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。[详细]


2020-08MOS管构造、特性及电压极性和符号规则

什么是MOS管? mos器件的工作原理是什么?MOS管是什么?MOS管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管,英文名metal oxide semiconductor,属于场效应管中的绝缘栅型,因此,MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。 mos器件的工作原理 mos器件的工作原理,从上图一可以看出增强型[详细]


2020-08MOS管 KNX4850S 8A/500V规格书详解

MOS管 KNX4850S 8A/500V产品特征RDS(ON)=0.7Ω(typ)@VGS=10V 符合RoHS 低导通电阻 低栅极电荷 峰值电流与脉冲宽度曲线MOS管 KNX4850S 8A/500V产品封装 MOS管 KNX4850S 8A/500V产品参数 MOS管 KNX4850S 8A/500V产品规格书查看及下载规格书,请点击下图。[详细]


2020-08科普:开关电源为什么要接地

在电源设计中,安全往往是第一位的。在开关电源中也是如此,接地能够保护使用者的人身安全,并且确保电力设备的正常运行。那么在开关电源中合适的接地方式是什么?常见的接地符号又有哪些呢?(一)接地的定义是什么? 在现代接地概念中、对于线路工程师来说,该术语的含义通常是“线路电压的参考点”。对于系统[详细]


2020-08晶体管电路图及工作原理

晶体管 晶体管(transistor)是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等,有时特指双极型器件),具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电信号来控制自身[详细]


2020-08MOS管 KNX3502A 70A/20V详解

MOS管 KNX3502A 70A/20V产品介绍KIA半导体产品品质优良,KIA半导体执行的全面质量管理体系,是将所有产品质量从芯片设计开始,一直贯彻到客户使用的全过程跟踪和监控。我们确定在这一质量控制体系下生产的产品,在相关环节的质量状态和信息都是有效受控,确保提供给客户的产品是安全可靠的。KNX3502A采用先进的[详细]


2020-08MOS控制晶闸管工作原理和应用

MOS门控晶闸管是什么?MOS控制晶闸管由VAK Temple开发。它是一个电压控制器,晶闸管是完全可控的晶闸管。MOS控制晶闸管的操作与GTO晶闸管非常相似,但是它具有电压控制绝缘的栅极。它具有两个用于导通和关断的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),并且在等效电路中具有相反的导电率。如果等效电路有一个晶[详细]


2020-08MOS管 KIA2310 3.0A/60V规格详解

MOS管 KIA2310 3.0A/60V产品特征VDS=60V,RDS(on)(TYP)=0.08Ω@VGS=10V,ID=3.0A VDS=60V,RDS(on)(TYP)=0.11Ω@VGS=4.5V,ID=2.0AMOS管 KIA2310 3.0A/60V产品封装 MOS管 KIA2310 3.0A/60V产品参数详情 MOS管 KIA2310 3.0A/60V产品规格书查看及下载规格书,请点击下图。 MOS管 KIA2310 3.0A/60V产品公司简介深圳[详细]


2020-08功率MOSFET并联产生寄生振荡的原因与解决方法详解

功率mosfet功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。功率mosfet工作原理及其他详解 截止:漏源极间加正电源,栅源极间[详细]


2020-08MOS管 KCX3503S 70A/30V规格详解

MOS管 70A/30V KCX3503S产品介绍深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。 KIA半导体有强大的研发平台,使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项,并掌握多项场效应管核心制造[详细]


2020-08图解-半导体如何区分

半导体如何区分,根据物体导电能力(电阻率)的不同,来划分导体、绝缘体和半导体。导体:容易导电的物体。如:铁、铜等等;绝缘体:几乎不导电的物体。如:橡胶等等;半导体:半导体是导电性能介于导体和半导体之间的物体。在一定条件下可导电。半导体的电阻率为10-3~109Ω·cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷[详细]


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