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碳化硅igbt的优势是什么？什么是碳化硅？碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。 碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或[详细]
电路板上mos管好坏判断，主要是用指针式万用表对MOS管进行判别。本文将会从5点来解析。MOS管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。[详细]
什么是MOS管？ mos器件的工作原理是什么？MOS管是什么？MOS管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管，英文名metal oxide semiconductor，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。 mos器件的工作原理 mos器件的工作原理，从上图一可以看出增强型[详细]
MOS管 KNX4850S 8A/500V产品特征RDS(ON)=0.7Ω(typ)@VGS=10V 符合RoHS 低导通电阻 低栅极电荷 峰值电流与脉冲宽度曲线MOS管 KNX4850S 8A/500V产品封装 MOS管 KNX4850S 8A/500V产品参数 MOS管 KNX4850S 8A/500V产品规格书查看及下载规格书，请点击下图。 [详细]
在电源设计中，安全往往是第一位的。在开关电源中也是如此，接地能够保护使用者的人身安全，并且确保电力设备的正常运行。那么在开关电源中合适的接地方式是什么？常见的接地符号又有哪些呢？（一）接地的定义是什么？ 在现代接地概念中、对于线路工程师来说，该术语的含义通常是“线路电压的参考点”。对于系统[详细]
晶体管 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电信号来控制自身[详细]
MOS管 KNX3502A 70A/20V产品介绍KIA半导体产品品质优良，KIA半导体执行的全面质量管理体系，是将所有产品质量从芯片设计开始，一直贯彻到客户使用的全过程跟踪和监控。我们确定在这一质量控制体系下生产的产品，在相关环节的质量状态和信息都是有效受控，确保提供给客户的产品是安全可靠的。KNX3502A采用先进的[详细]
MOS门控晶闸管是什么？MOS控制晶闸管由VAK Temple开发。它是一个电压控制器，晶闸管是完全可控的晶闸管。MOS控制晶闸管的操作与GTO晶闸管非常相似，但是它具有电压控制绝缘的栅极。它具有两个用于导通和关断的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），并且在等效电路中具有相反的导电率。如果等效电路有一个晶[详细]
MOS管 KIA2310 3.0A/60V产品特征VDS=60V,RDS(on)(TYP)=0.08Ω@VGS=10V,ID=3.0A VDS=60V,RDS(on)(TYP)=0.11Ω@VGS=4.5V,ID=2.0AMOS管 KIA2310 3.0A/60V产品封装 MOS管 KIA2310 3.0A/60V产品参数详情 MOS管 KIA2310 3.0A/60V产品规格书查看及下载规格书，请点击下图。 MOS管 KIA2310 3.0A/60V产品公司简介深圳[详细]
功率mosfet功率MOS场效应晶体管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应来控制半导体（S）的场效应晶体管。功率mosfet工作原理及其他详解 截止：漏源极间加正电源，栅源极间[详细]
MOS管 70A/30V KCX3503S产品介绍深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。 KIA半导体有强大的研发平台，使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项，并掌握多项场效应管核心制造[详细]
半导体如何区分，根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。导体：容易导电的物体。如：铁、铜等等；绝缘体：几乎不导电的物体。如：橡胶等等；半导体：半导体是导电性能介于导体和半导体之间的物体。在一定条件下可导电。半导体的电阻率为10-3～109Ω·cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷[详细]
在本文中颖特新小编主要解析功率mos管为何会被烧毁。mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。 Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪[详细]
本文主要是讲mos管替换原则及MOS管好坏判断，现来看看mos管替换原则及电子元件器件的替换原则。 近几年，电子产业外部环境变幻频繁，原厂并购与整合代理线、中美贸易战、元器件缺货轮番上演……产业不稳定因素增加，给电子产业供应链带来挑战。元器件替代成为热门话题，如何快速高效找到替代供应商，非常关键。[详细]
mos管开关电路MOS管开关电路是利用一种电路，是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。P沟道MOS管开关电路 PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。需要注意的是，Vgs指的是栅极G与[详细]
开关电源的电路组成开关电源的主要电路是由输入电磁干扰滤波器（EMI）、整流滤波电路、功率变换电路、PWM控制器电路、输出整流滤波电路组成。辅助电路有输入过欠压保护电路、输出过欠压保护电路、输出过流保护电路、输出短路保护电路等。开关电源的电路组成方框图如下: 输入电路的原理以及常见的电路（1）AC输[详细]
FET概述 FET即Field Effect Transistor，译为场效应晶体管，也叫场效应管，是一种电压控制器件(晶体管是电流控制器件)。有很高的输入阻抗,较大的功率增益,由于是电压控制器件所以噪声小。FET是根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极。 FET原理简述 现在越来越多的电子电路都在使[详细]
MOS管D80N06替代产品KND3306B详细资料 1、MOS管D80N06替代产品KND3306B-特点RDS(ON)=7mΩtyp@VGS=10V 提供无铅绿色设备 低Rds开启以最小化导电损耗 2、MOS管D80N06替代产品KND3306B-参数 3、MOS管D80N06替代产品KND3306B-封装图 4、MOS管D80N06替代产品KND3306B-规格书查看及下载规格书，请点击下图 [详细]
MOS管 MOS管全称金属—氧化物—半导体场效应晶体管或称金属—绝缘体—半导体场效应晶体管，英文名metal oxide semiconductor，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时候又称为绝缘栅场效应管。 MOS管这个器件有两个电极，分别是漏极D和源极S，无论是图一的N型还是图二的P型都是一块掺杂浓度较低的P型半导体[详细]
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