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2023-06nor flash闪存存储芯片：华邦W25Q01NW_DTR

W25Q01NW_DTRfacebooktwitterlinkedIn1G-bit Serial Flash Memory with uniform 4KB sectors and Dual/Quad SPIDensity1GbIndustrial StatusMass ProductionVcc1.7V - 1.95VFrequency133MHzPackageSOIC16 300mil, WSON8 8X6mm, TFBGA24 6X8mm (5x5 Matrix)Temperature Range-40℃ ~ 85℃Feature ListSingle / D[详细]

2023-06Nor Flash存储芯片：华邦W25Q01NW

W25Q01NWfacebooktwitterlinkedIn1G-bit Serial Flash Memory with uniform 4KB sectors and Dual/Quad SPIDensity1GbIndustrial StatusMass ProductionVcc1.7V - 1.95VFrequency133MHzPackageSOIC16 300mil, WSON8 8X6mm, TFBGA24 6X8mm (5x5 Matrix)Temperature Range-40℃ ~ 85℃Feature ListSingle / Dual[详细]

2023-06国产flash芯片：华邦W25H01NW_DTR

W25H01NW_DTRfacebooktwitterlinkedIn1G-bit Serial Flash Memory with uniform 4KB sectors and Dual/Quad SPI with ECCDensity1GbIndustrial Status-Vcc1.7V - 1.95VFrequency133MHzPackageSOIC16 300mil, WSON8 8X6mm, TFBGA24 6X8mm (5x5 Matrix)Temperature Range-40℃ ~ 125℃Feature ListOn-Chip ECCSin[详细]

2023-06nor flash一级代理商：华邦W25H01JV_DTR

W25H01JV_DTRfacebooktwitterlinkedIn1G-bit Serial Flash Memory with uniform 4KB sectors and Dual/Quad SPI with ECCDensity1GbIndustrial Status-Vcc2.7V - 3.6VFrequency133MHzPackageSOIC16 300mil,TFBGA24 6X8mm (5x5 Matrix)Temperature Range-40℃ ~ 125℃Feature ListOn-Chip ECCSPI/QPI/DTR (Doubl[详细]

2023-06国内nor flash厂商：华邦W25Q02NW_DTR

W25Q02NW_DTRfacebooktwitterlinkedIn2G-bit Serial Flash Memory with uniform 4KB sectors and Dual/Quad SPIDensity2GbIndustrial StatusSamplingVcc1.7V - 1.95VFrequency133MHzPackageTFBGA24 6X8mm (5x5 Matrix)Temperature Range-40℃ ~ 85℃Feature ListSingle / Dual / Quad SPI & QPISPI/QPI/DTR[详细]

2023-06国产nor flash芯片：华邦W25Q02JV_DTR

W25Q02JV_DTRfacebooktwitterlinkedIn2G-bit Serial Flash Memory with uniform 4KB sectors and Dual/Quad SPIDensity2GbIndustrial StatusMass ProductionVcc2.7V - 3.6VFrequency133MHzPackageTFBGA24 6X8mm (5x5 Matrix)Temperature Range-40℃ ~ 85℃Feature ListSPI/QPI/DTR (Double Transfer Rate) Read[详细]

2023-06nor flash代理商：华邦W25H02JV_DTR

W25H02JV_DTRfacebooktwitterlinkedIn2G-bit Serial Flash Memory with uniform 4KB sectors and Dual/Quad SPI with ECCDensity2GbIndustrial Status-Vcc2.7V - 3.6VFrequency133MHzPackageTFBGA24 6X8mm (5x5 Matrix)Temperature Range-40℃ ~ 125℃Feature ListOn-Chip ECCSPI/QPI/DTR (Double Transfer Rat[详细]

2023-06华邦Serial NOR Flash系列规格参数及产品选型表

Serial NOR Flash支援SPI、Dual-SPI、Quad-SPI 与QPI的SpiFlash?记忆体华邦的W25X 与W25Q SpiFlash? Multi-I/O记忆体支援通用的SPI介面，容量从512Kb 到 512Mb，具有小容量分割的可擦除区块与业界最高的操作效能。W25X系列支援Dual-SPI双线输出入模式，相当于将原本标准SPI的操作频率变为两倍。 W25Q系[详细]

2023-06eeprom存储器一级代理商：贝岭BL24C256A

BL24C256AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,256k,256产品简介BL24C256A提供262144比特串行电可擦写存储器，组成32768个字节，每页64个字节，共512页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA7.额外ID存储器，提供芯片ID和产品[详细]

2023-06eeprom授权代理商：贝岭BL24C16F

BL24C16FIIC, I2C,EEPROM,存储器,24,16k,16产品简介BL24C16F提供16384比特串行电可擦写存储器，组成2048个字节，每页16个字节，共128页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]

2023-06eeprom芯片代理：贝岭BL24C16A

BL24C16AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,16k,16产品简介BL24C16A提供16384比特串行电可擦写存储器，组成2048个字节，每页16个字节，共128页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]

2023-06国产EEPROM代理商：贝岭BL24C128A

BL24C128AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,128k,128产品简介BL24C128A提供131072比特串行电可擦写存储器，组成16384个字节，每页64个字节，共256页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA7.额外ID存储器，提供芯片ID和产品[详细]

2023-06eeprom存储器代理商：贝岭BL24C08F

BL24C08FIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,8k,08产品简介BL24C08F提供8192比特串行电可擦写存储器，组成1024个字节，每页16个字节，共64页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]

2023-06BEEPROM存储器代理：贝岭L24C08A

BL24C08AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,8k,08产品简介BL24C08A提供8192比特串行电可擦写存储器，组成1024个字节，每页16个字节，共64页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]

2023-06EEPROM芯片代理：贝岭BL24C04F

BL24C04FIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,2K,04产品简介BL24C04A提供4096比特串行电可擦写存储器，组成512个字节，每页16个字节，共32页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]

2023-06EEPROM代理商：贝岭BL24C04A

BL24C04AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,4k,04产品简介BL24C04A提供4096比特串行电可擦写存储器，组成512个字节，每页16个字节，共32页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]

2023-05贝岭一级代理商：BL24C02F

BL24C02FIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,2K,02产品简介BL24C02F提供2048比特串行电可擦写存储器，组成256个字节，每页16个字节，共16页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]

2023-05贝岭代理商：BL24C02A

BL24C02AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,2k,02产品简介BL24C02A提供2048比特串行电可擦写存储器，组成256个字节，每页16个字节，共16页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]

2023-05时创意E3000 Pro系列U.2 SSD

E3000 Pro系列U.2 SSD数据中心级别的服务器U.2 PCIe SSD加载数据中心级别的控制器，性能出色，针对密集型数据读写的设计，支持2TB~8TB容量段，最高可支持传输性能为R=3500MB/s, W=3000MB/s。在同规格中，实现超低功耗，为数据中心提供解决方案。[详细]

2023-05时创意E3000 Pro系列 M.2 PCIE 2280 SSD

E3000 Pro系列 M.2 PCIE 2280 SSDPCIe Gen3×4，超高速企业级M.2 PCIe SSD遵循PCle Gen3x4标准，支持256GB~2TB容量段，内建高性能的外置DDR4缓存芯片，最高可支持传输性能为R=3500MB/s, W=3000MB/s。更高速度，更大容量，更长寿命，保障了数据安全性和可靠性。[详细]

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