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W25Q02NW_DTRfacebooktwitterlinkedIn2G-bit Serial Flash Memory with uniform 4KB sectors and Dual/Quad SPIDensity2GbIndustrial StatusSamplingVcc1.7V - 1.95VFrequency133MHzPackageTFBGA24 6X8mm (5x5 Matrix)Temperature Range-40℃ ~ 85℃Feature ListSingle / Dual / Quad SPI & QPISPI/QPI/DTR[详细]
W25Q02JV_DTRfacebooktwitterlinkedIn2G-bit Serial Flash Memory with uniform 4KB sectors and Dual/Quad SPIDensity2GbIndustrial StatusMass ProductionVcc2.7V - 3.6VFrequency133MHzPackageTFBGA24 6X8mm (5x5 Matrix)Temperature Range-40℃ ~ 85℃Feature ListSPI/QPI/DTR (Double Transfer Rate) Read[详细]
W25H02JV_DTRfacebooktwitterlinkedIn2G-bit Serial Flash Memory with uniform 4KB sectors and Dual/Quad SPI with ECCDensity2GbIndustrial Status-Vcc2.7V - 3.6VFrequency133MHzPackageTFBGA24 6X8mm (5x5 Matrix)Temperature Range-40℃ ~ 125℃Feature ListOn-Chip ECCSPI/QPI/DTR (Double Transfer Rat[详细]
Serial NOR Flash支援SPI、Dual-SPI、Quad-SPI 与QPI的SpiFlash®记忆体华邦的W25X 与W25Q SpiFlash® Multi-I/O记忆体支援通用的SPI介面，容量从512Kb 到 512Mb，具有小容量分割的可擦除区块与业界最高的操作效能。W25X系列支援Dual-SPI双线输出入模式，相当于将原本标准SPI的操作频率变为两倍。 W25Q系[详细]
BL24C256AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,256k,256产品简介BL24C256A提供262144比特串行电可擦写存储器，组成32768个字节，每页64个字节，共512页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA7.额外ID存储器，提供芯片ID和产品[详细]
BL24C16FIIC, I2C,EEPROM,存储器,24,16k,16产品简介BL24C16F提供16384比特串行电可擦写存储器，组成2048个字节，每页16个字节，共128页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]
BL24C16AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,16k,16产品简介BL24C16A提供16384比特串行电可擦写存储器，组成2048个字节，每页16个字节，共128页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]
BL24C128AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,128k,128产品简介BL24C128A提供131072比特串行电可擦写存储器，组成16384个字节，每页64个字节，共256页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA7.额外ID存储器，提供芯片ID和产品[详细]
BL24C08FIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,8k,08产品简介BL24C08F提供8192比特串行电可擦写存储器，组成1024个字节，每页16个字节，共64页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]
BL24C08AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,8k,08产品简介BL24C08A提供8192比特串行电可擦写存储器，组成1024个字节，每页16个字节，共64页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]
BL24C04FIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,2K,04产品简介BL24C04A提供4096比特串行电可擦写存储器，组成512个字节，每页16个字节，共32页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]
BL24C04AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,4k,04产品简介BL24C04A提供4096比特串行电可擦写存储器，组成512个字节，每页16个字节，共32页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]
BL24C02FIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,2K,02产品简介BL24C02F提供2048比特串行电可擦写存储器，组成256个字节，每页16个字节，共16页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]
BL24C02AIIC,I2C,EEPROM,存储器,24,2k,02产品简介BL24C02A提供2048比特串行电可擦写存储器，组成256个字节，每页16个字节，共16页。优势特点1.工作电压：1.7~5.5V2.标准IIC接口通信协议3.硬件写保护4.内部上电复位5.最高1M工作频率6.超低功耗设计，静态功耗小于1μA[详细]
E3000 Pro系列U.2 SSD数据中心级别的服务器U.2 PCIe SSD加载数据中心级别的控制器，性能出色，针对密集型数据读写的设计，支持2TB~8TB容量段，最高可支持传输性能为R=3500MB/s, W=3000MB/s。在同规格中，实现超低功耗，为数据中心提供解决方案。[详细]
E3000 Pro系列 M.2 PCIE 2280 SSDPCIe Gen3×4，超高速企业级M.2 PCIe SSD遵循PCle Gen3x4标准，支持256GB~2TB容量段，内建高性能的外置DDR4缓存芯片，最高可支持传输性能为R=3500MB/s, W=3000MB/s。更高速度，更大容量，更长寿命，保障了数据安全性和可靠性。[详细]
E2000 pro性能级的企业M.2 PCIe SSD遵循PCle Gen3x4标准，支持128GB~1TB容量段，内建高性能的外置DDR3缓存芯片，最高可支持传输性能为R=2000MB/s, W=1900MB/s。更高速度，更大容量，更长寿命，包装数据安全性和可靠性。[详细]
S3000 Pro系列SSDPCIe Gen3×4，超高速行业级M.2 PCIe SSD8通道NAND flash 并行读取， 遵循NVMe协议标准，轻松满足主流PC的存储器解决方案需求。支持256GB~2TB容量段，最高可支持传输性能为R=3500MB/s, W=3000MB/s。提供多少种封装规格组合，功耗低，性能提升，保障数据的可靠性，适合高要求的行业级客户。[详细]
S2000 pro高性价比的行业M.2 PCIe SSD采用PCIe Gen3×4 M Key端口，提供可实现更高性能的存储空间，可支持128GB~1TB容量段，加入了DRAM做为数据缓存，最高可支持传输性能为R=2000MB/s, W=1600MB/s。I/O延迟更低，低耗能，支持电源管理等客户端功能，是主流PC的理想选择。[详细]
新一代接口的笔记本M.2 PCIe SSD遵循新一代NVMe协议标准，两款端口可选，接入通道更多，支持128GB~1TB容量段，最高可支持传输性能为R=2000MB/s, W=1600MB/s。具有多种尺寸选择，为追求高性能大容量存储需求的超薄电子产品首选。[详细]
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